Наука и технологии
Товары и услуги
19 августа 2015, 12:35 | Автор: Иван Рутов

Intel и Micron представили новую технологию памяти, в 1000 раз быстрее флэша

Intel и Micron представили новую технологию памяти, в 1000 раз быстрее флэша
фото:
Новинка была представлена под брендом Optane. Также Intel показал аппаратный модуль размером с ноготь.

Компании Intel и Micron на конференции IDF 2015 в Сан-Франциско впервые публично продемонстрировали скорость работы новой энергонезависимой памяти на основе технологии 3D Xpoint. Она в 1 тыс. раз быстрее обычного флеша, передает RT.

Кроме того, реальная демонстрация в рамках выступления Кржанича показала, что Скорость прототипа в семь раз выше, чем у самого быстрого SSD-накопителя Intel P3700. По данным компании Intel, новая технология может применяться, например, в компьютерных играх, ускорив их работу.

В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM, уточняет 3DNews.

В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора — карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.

На выступлении генерального директора Intel Брайана Кржанича (Brian Krzanich) зрителям продемонстрировали рабочий прототип Optane в виде карты расширения PCIe. По количеству операций в секунду устройство в 5–7 раз превосходит накопитель корпоративного класса Intel SSD DC P3700. Столь высокая производительность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу. Кроме того, 3D XPoint обладает более симметричной производительность при чтении и записи благодаря тому, что операции обоих типов выполняются в блоках, соответствующих ширине шины памяти — в отличие от памяти NAND Flash, которая подразумевает запись крупными «страницами» (вплоть до 16 Кбайт).

Помимо устойств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.

Также генеральный директор корпорации Intel Брайан Кржанич продемонстрировал новый аппаратный модуль Curie миниатюрного размера. Устройство предназначено для носимых гаджетов и прочих потребительских устройств. Анонс прошел в рамках конференции IDF 2015 (Intel Developer Forum) в Сан-Франциско, передает «Лента.ру».

Продукт включает в себя вычислительную систему, возможность зарядки аккумулятора, микроконтроллер Quark в 32 бит, 384 килобайта флеш-памяти, статическую память в 80 килобайт. Модуль также оснащен сенсорами с акселерометром и гироскопом, Bluetooth и датчиком движения.

Следите за событиями дня в нашем паблик-аккаунте в Telegramm
материалы ПО ТЕМЕ
Глава Intel: Windows 8 поступит на рынок в недоделанном виде Глава Intel: Windows 8 поступит на рынок в недоделанном виде
Компания Intel нашла замену технологии USB Компания Intel нашла замену технологии USB
 
топ НОВОСТЕЙ
Все новости раздела
новости Наука и технологии
Все новости раздела